Hall and field-effect mobilities in few layered p-WSe(2) field-effect transistors

por Pradhan, N. R., Rhodes, D., Memaran, S., Poumirol, J. M., Smirnov, D., Talapatra, S., Feng, S., Perea-Lopez, N., Elias, A. L., Terrones, M., Ajayan, P. M., Balicas, L.
Publicado 2015

New First Order Raman-active Modes in Few Layered Transition Metal Dichalcogenides

por Terrones, H., Corro, E. Del, Feng, S., Poumirol, J. M., Rhodes, D., Smirnov, D., Pradhan, N. R., Lin, Z., Nguyen, M. A. T., Elías, A. L., Mallouk, T. E., Balicas, L., Pimenta, M. A., Terrones, M.
Publicado 2014

Negative Differential Conductance & Hot-Carrier Avalanching in Monolayer WS2 FETs

por He, G., Nathawat, J., Kwan, C.-P., Ramamoorthy, H., Somphonsane, R., Zhao, M., Ghosh, K., Singisetti, U., Perea-López, N., Zhou, C., Elías, A. L., Terrones, M., Gong, Y., Zhang, X., Vajtai, R., Ajayan, P. M., Ferry, D. K., Bird, J. P.
Publicado 2017