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  1. 1
    por Hur, Ji-Hyun
    Publicado 2019
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    The origin of the exceptionally low activation energy of oxygen vacancy in tantalum pentoxide based resistive memory
  2. 2
    por Hur, Ji-Hyun
    Publicado 2020
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    First principles study of oxygen vacancy activation energy barrier in zirconia-based resistive memory
  3. 3
    por Hur, Ji-Hyun, Jeon, Sanghun
    Publicado 2016
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    III–V compound semiconductors for mass-produced nano-electronics: theoretical studies on mobility degradation by dislocation
  4. 4
    por Hur, Ji-Hyun, Kim, Deok-kee
    Publicado 2019
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    A study on mechanism of resistance distribution characteristics of oxide-based resistive memory
  5. 5
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    Tuning of ionic mobility to improve the resistive switching behavior of Zn-doped CeO(2)
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