Multiple-stable anisotropic magnetoresistance memory in antiferromagnetic MnTe

por Kriegner, D., Výborný, K., Olejník, K., Reichlová, H., Novák, V., Marti, X., Gazquez, J., Saidl, V., Němec, P., Volobuev, V. V., Springholz, G., Holý, V., Jungwirth, T.
Publicado 2016

Antiferromagnetic CuMnAs multi-level memory cell with microelectronic compatibility

por Olejník, K., Schuler, V., Marti, X., Novák, V., Kašpar, Z., Wadley, P., Campion, R. P., Edmonds, K. W., Gallagher, B. L., Garces, J., Baumgartner, M., Gambardella, P., Jungwirth, T.
Publicado 2017

Isothermal anisotropic magnetoresistance in antiferromagnetic metallic IrMn

por Galceran, R., Fina, I., Cisneros-Fernández, J., Bozzo, B., Frontera, C., López-Mir, L., Deniz, H., Park, K.-W., Park, B.-G., Balcells, Ll., Martí, X., Jungwirth, T., Martínez, B.
Publicado 2016

Hidden Magnetic States Emergent Under Electric Field, In A Room Temperature Composite Magnetoelectric Multiferroic

por Clarkson, J. D., Fina, I., Liu, Z. Q., Lee, Y., Kim, J., Frontera, C., Cordero, K., Wisotzki, S., Sanchez, F., Sort, J., Hsu, S. L., Ko, C., Aballe, L., Foerster, M., Wu, J., Christen, H. M., Heron, J. T., Schlom, D. G., Salahuddin, S., Kioussis, N., Fontcuberta, J., Marti, X., Ramesh, R.
Publicado 2017