Hall and field-effect mobilities in few layered p-WSe(2) field-effect transistors

por Pradhan, N. R., Rhodes, D., Memaran, S., Poumirol, J. M., Smirnov, D., Talapatra, S., Feng, S., Perea-Lopez, N., Elias, A. L., Terrones, M., Ajayan, P. M., Balicas, L.
Publicado 2015

Negative Differential Conductance & Hot-Carrier Avalanching in Monolayer WS2 FETs

por He, G., Nathawat, J., Kwan, C.-P., Ramamoorthy, H., Somphonsane, R., Zhao, M., Ghosh, K., Singisetti, U., Perea-López, N., Zhou, C., Elías, A. L., Terrones, M., Gong, Y., Zhang, X., Vajtai, R., Ajayan, P. M., Ferry, D. K., Bird, J. P.
Publicado 2017