Siegfried Selberherr

Siegfried Selberherr (3 de agosto de 1955, Klosterneuburg) es un científico austríaco en el campo de la microelectrónica y profesor en el Instituto de Microelectrónica de la Universidad Técnica de Viena. Su principal campo de investigación es el modelaje y la simulación de los fenómenos físicos de la microelectrónica. proporcionado por Wikipedia
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    por Selberherr, Siegfried
    Publicado 1984
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    Analysis and simulation of semiconductor devices
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    Performance and Stress Analysis of Metal Oxide Films for CMOS-Integrated Gas Sensors
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    Thermo-Electro-Mechanical Simulation of Semiconductor Metal Oxide Gas Sensors
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    Application of Two-Dimensional Materials towards CMOS-Integrated Gas Sensors †
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    Stochastic approaches to electron transport in micro- and nanostructures
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    Modeling of Gate Stack Patterning for Advanced Technology Nodes: A Review
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    Challenges for Nanoscale CMOS Logic Based on Two-Dimensional Materials
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    A Theoretical Study of Armchair Antimonene Nanoribbons in the Presence of Uniaxial Strain Based on First-Principles Calculations
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    Accelerating Flux Calculations Using Sparse Sampling †
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    A computational approach for investigating Coulomb interaction using Wigner–Poisson coupling
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    Improved Sensing Capability of Integrated Semiconducting Metal Oxide Gas Sensor Devices †
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    Complex Systems in Phase Space
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    Optimization of a Spin-Orbit Torque Switching Scheme Based on Micromagnetic Simulations and Reinforcement Learning
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    A Comprehensive Study of Temperature and Its Effects in SOT-MRAM Devices
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    Spin and charge drift-diffusion in ultra-scaled MRAM cells
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    Finite Element Approach for the Simulation of Modern MRAM Devices
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    Strained MOSFETs on ordered SiGe dots
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    Simulation of the Impact of Ionized Impurity Scattering on the Total Mobility in Si Nanowire Transistors
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