Filtering of Defects in Semipolar (11−22) GaN Using 2-Steps Lateral Epitaxial Overgrowth

por Kriouche, N, Leroux, M, Vennéguès, P, Nemoz, M, Nataf, G, de Mierry, P
Publicado 2010

Intentional polarity conversion of AlN epitaxial layers by oxygen

por Stolyarchuk, N., Markurt, T., Courville, A., March, K., Zúñiga-Pérez, J., Vennéguès, P., Albrecht, M.
Publicado 2018

Al(5+α)Si(5+δ)N(12), a new Nitride compound

por Dagher, R., Lymperakis, L., Delaye, V., Largeau, L., Michon, A., Brault, J., Vennéguès, P.
Publicado 2019