Operation and modeling of the MOS transistor /

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Detalles Bibliográficos
Autor principal: Tsividis, Yannis
Formato: Libro
Lenguaje:English
Publicado: New York : Oxford University Press, c1999.
Edición:2nd ed.
Materias:
Semiconductores de metal-óxido complementarios > Modelos matemáticos.
Semiconductores de metal-óxido complementarios > Efectos transistorios > Electrónica digital
Acceso en línea:http://www.loc.gov/catdir/enhancements/fy0615/2003283093-t.html
Descripción
Descripción Física:xx, 620 p. : il. ; 24 cm.
Bibliografía:Incluye bibliografías e índice.
ISBN:0195170148 (pasta dura)
9780195170146 (pasta dura)

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