Compact MOSFET models for VLSI design /

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Detalles Bibliográficos
Autor principal: Bhattacharyya, A. B. (Amalendu Bhushan)
Formato: Libro
Lenguaje:English
Publicado: Singapore ; Hoboken, NJ : [Piscataway, NJ] : John Wiley & Sons (Asia) ; IEEE Press, c2009.
Materias:
Circuitos integrados > Diseño y construcción.
Semiconductores > Diseño y construcción.
Acceso en línea:Cover
Tabla de Contenidos:
  • Semiconductor physics review for MOSFET modeling
  • Ideal metal oxide semiconductor capacitor
  • Non-ideal and non-classical MOS capacitors
  • Long channel MOS transistor
  • The scaled MOS transistor
  • Quasistatic, non-quasistatic, and noise models
  • Quantum phenomena in MOS transistors
  • Non-classical MOSFET structures
  • Appendix A : expression for electric field and potential variation in the semiconductor space charge under the gate
  • Appendix B : features of select compact MOSFET models
  • Appendix C : PSP two-point collocation method.

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