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Crystal-field investigations of rare-earth-doped wide band gap semiconductors

Detalles Bibliográficos
Autores principales: Vetter, U, Wahl, U, Correia, J G, Johnston, K, Nagl, M, Uhrmacher, M, Hofsäss, H
Publicado: 2009
Materias:
Acceso en línea:http://cds.cern.ch/record/1156114

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