Direct evidence for substitutional ion-implanted indium dopants in silicon

Detalles Bibliográficos
Autores principales: Lindner, G, Hofsäss, H C, Winter, S, Besold, B, Recknagel, E, Weyer, G, Petersen, J W
Lenguaje:eng
Publicado: 1986
Materias:
Other Fields of Physics
Acceso en línea:https://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.57.2283
http://cds.cern.ch/record/173313
Descripción
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