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Deep-level transient spectroscopy measurements of majority carrier traps in neutron-irradiated n-type silicon detectors

Detalles Bibliográficos
Autores principales: Borchi, E, Bertrand, C, Leroy, C, Bruzzi, Mara, Furetta, C, Paludetto, R, Rancoita, P G, Vismara, L, Giubellino, P
Lenguaje:eng
Publicado: 1989
Materias:
Acceso en línea:https://dx.doi.org/10.1016/0168-9002(89)91093-0
http://cds.cern.ch/record/195215

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