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Impact of low-dose electron irradiation on n+p silicon strip sensors

The response of n+p silicon strip sensors to electrons from a Sr-90 source was measured using a multi-channel read-out system with 25 ns sampling time. The measurements were performed over a period of several weeks, during which the operating conditions were varied. The sensors were fabricated by Ha...

Descripción completa

Detalles Bibliográficos
Autores principales: Adam, W., Bergauer, T., Dragicevic, M., Friedl, M., Fruehwirth, R., Hoch, M., Hrubec, J., Krammer, M., Treberspurg, W., Waltenberger, W., Alderweireldt, S., Beaumont, W., Janssen, X., Luyckx, S., Van Mechelen, P., Van Remortel, N., Van Spilbeeck, A., Barria, P., Caillol, C., Clerbaux, B., De Lentdecker, G., Dobur, D., Favart, L., Grebenyuk, A., Lenzi, Th., Leonard, A., Maerschalk, Th., Mohammadi, A., Pernie, L., Randle-Conde, A., Reis, T., Seva, T., Thomas, L., Vander Velde, C., Vanlaer, P., Wang, J., Zenoni, F., Abu Zeid, S., Blekman, F., De Bruyn, I., D'Hondt, J., Daci, N., Deroover, K., Heracleous, N., Keaveney, J., Lowette, S., Moreels, L., Olbrechts, A., Python, Q., Tavernier, S., Van Mulders, P., Van Onsem, G., Van Parijs, I., Strom, D.A., Basegmez, S., Bruno, G., Castello, R., Caudron, A., Ceard, L., De Callatay, B., Delaere, C., Pree, T.Du, Forthomme, L., Giammanco, A., Hollar, J., Jez, P., Michotte, D., Nuttens, C., Perrini, L., Pagano, D., Quertenmont, L., Selvaggi, M., Marono, M.Vidal, Beliy, N., Caebergs, T., Daubie, E., Hammad, G.H., Harkonen, J., Lampen, T., Luukka, P.R., Maenpaa, T., Peltola, T., Tuominen, E., Tuovinen, E., Eerola, P., Tuuva, T., Beaulieu, G., Boudoul, G., Combaret, C., Contardo, D., Gallbit, G., Lumb, N., Mathez, H., Mirabito, L., Perries, S., Sabes, D., Vander Donckt, M., Verdier, P., Viret, S., Zoccarato, Y., Agram, J.L., Conte, E., Fontaine, J.Ch., Andrea, J., Bloch, D., Bonnin, C., Brom, J.M., Chabert, E., Charles, L., Goetzmann, Ch., Gross, L., Hosselet, J., Mathieu, C., Richer, M., Skovpen, K., Autermann, C., Edelhoff, M., Esser, H., Feld, L., Karpinski, W., Klein, K., Lipinski, M., Ostapchuk, A., Pierschel, G., Preuten, M., Raupach, F., Sammet, J., Schael, S., Schwering, G., Wittmer, B., Wlochal, M., Zhukov, V., Pistone, C., Fluegge, G., Kuensken, A., Geisler, M., Pooth, O., Stahl, A., Bartosik, N., Behr, J., Burgmeier, A., Calligaris, L., Dolinska, G., Eckerlin, G., Eckstein, D., Eichhorn, T., Fluke, G., Garcia, J.Garay, Gizhko, A., Hansen, K., Harb, A., Hauk, J., Kalogeropoulos, A., Kleinwort, C., Korol, I., Lange, W., Lohmann, W., Mankel, R., Maser, H., Mittag, G., Muhl, C., Mussgiller, A., Nayak, A., Ntomari, E., Perrey, H., Pitzl, D., Schroeder, M., Seitz, C., Spannagel, S., Zuber, A., Biskop, H., Blobel, V., Buhmann, P., Centis-Vignali, M., Draeger, A.R., Erfle, J., Garutti, E., Haller, J., Henkel, Ch., Hoffmann, M., Junkes, A., Klanner, R., Lapsien, T., Mattig, S., Matysek, M., Perieanu, A., Poehlsen, J., Poehlsen, T., Scharf, Ch., Schleper, P., Schmidt, A., Schuwalow, S., Schwandt, J., Sola, V., Steinbruck, G., Vormwald, B., Wellhausen, J., Barvich, T., Barth, Ch., Boegelspacher, F., De Boer, W., Butz, E., Casele, M., Colombo, F., Dierlamm, A., Eber, R., Freund, B., Hartmann, F., Hauth, Th., Heindl, S., Hoffmann, K.H., Husemann, U., Kornmeyer, A., Mallows, S., Muller, Th., Nuernberg, A., Printz, M., Simonis, H.J., Steck, P., Weber, M., Weiler, Th., Bhardwaj, A., Kumar, A., Ranjan, K., Bakhshiansohl, H., Behnamian, H., Khakzad, M., Naseri, M., Cariola, P., De Robertis, G., Fiore, L., Franco, M., Loddo, F., Sala, G., Silvestris, L., Creanza, D., De Palma, M., Maggi, G., My, S., Selvaggi, G., Albergo, S., Cappello, G., Chiorboli, M., Costa, S., Giordano, F., Di Mattia, A., Potenza, R., Saizu, M.A., Tricomi, A., Tuve, C., Barbagli, G., Brianzi, M., Ciaranfi, R., Civinini, C., Gallo, E., Meschini, M., Paoletti, S., Sguazzoni, G., Ciulli, V., D'Alessandro, R., Gonzi, S., Gori, V., Focardi, E., Lenzi, P., Scarlini, E., Tropiano, A., Viliani, L., Ferro, F., Robutti, E., Lo Vetere, M., Gennai, S., Malvezzi, S., Menasce, D., Moroni, L., Pedrini, D., Dinardo, M., Fiorendi, S., Manzoni, R.A., Azzi, P., Bacchetta, N., Bisello, D., Dall'Osso, M., Dorigo, T., Giubilato, P., Pozzobon, N., Tosi, M., Zucchetta, A., De Canio, F., Gaioni, L., Manghisoni, M., Nodari, B., Re, V., Traversi, G., Comotti, D., Ratti, L., Bilei, G.M., Bissi, L., Checcucci, B., Magalotti, D., Menichelli, M., Saha, A., Servoli, L., Storchi, L., Biasini, M., Conti, E., Ciangottini, D., Fano, L., Lariccia, P., Mantovani, G., Passeri, D., Placidi, P., Salvatore, M., Santocchia, A., Solestizi, L.A., Spiezia, A., Demaria, N., Rivetti, A., Bellan, R., Casasso, S., Costa, M., Covarelli, R., Migliore, E., Monteil, E., Musich, M., Pacher, L., Ravera, F., Romero, A., Solano, A., Trapani, P., Jaramillo Echeverria, R., Fernandez, M., Gomez, G., Moya, D., F. 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Lenguaje:eng
Publicado: 2015
Materias:
Acceso en línea:https://dx.doi.org/10.1016/j.nima.2015.08.026
http://cds.cern.ch/record/2015820
Descripción
Sumario:The response of n+p silicon strip sensors to electrons from a Sr-90 source was measured using a multi-channel read-out system with 25 ns sampling time. The measurements were performed over a period of several weeks, during which the operating conditions were varied. The sensors were fabricated by Hamamatsu Photonics K.K. on 200 micrometer thick float-zone and magnetic-Czochralski silicon. Their pitch was 80 micrometer, and both p-stop and p-spray isolation of the n+ strips were studied. The electrons from the Sr-90 source were collimated to a spot with a full-width-at-half-maximum of 2 mm at the sensor surface, and the dose rate in the SiO2 at the maximum was about 50 Gy/d. After only a few hours of making measurements, significant changes in charge collection and charge sharing were observed. Annealing studies, with temperatures up to 80{\deg}C and annealing times of 18 hours, showed that the changes can only be partially annealed. The observations can be qualitatively explained by the increase of the positive oxide-charge density due to the ionization of the SiO2 by the radiation from the {\ss} source. TCAD simulations of the electric field in the sensor for different oxide-charge densities and different boundary conditions at the sensor surface support this explanation. The relevance of the measurements for the design of p+n strip sensors is discussed.