Annealing behaviour of high concentration of implanted Sb and Sn in silicon

Detalles Bibliográficos
Autores principales: Weyer, G, Nylandsted-Larsen, A, Pedersen, F T, Galloni, R, Rizzoli, R
Lenguaje:eng
Publicado: 1986
Materias:
Other Fields of Physics
Acceso en línea:https://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.10-12.1135
http://cds.cern.ch/record/264813
Descripción
Descripción no disponible.

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