Lattice location of ion-implanted dopants in GaAs using radioactive probes

Detalles Bibliográficos
Autores principales: Winter, S, Blässer, S, Hofsäss, H C, Jahn, S G, Lindner, G, Recknagel, E
Lenguaje:eng
Publicado: 1989
Materias:
Other Fields of Physics
Acceso en línea:https://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.38-41.1221
http://cds.cern.ch/record/264849
Descripción
Descripción no disponible.

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