Site changes of ion-implanted Li in GaAs below 300 K

Detalles Bibliográficos
Autores principales: Lindner, G, Winter, S, Hofsäss, H C, Jahn, S G, Blässer, S, Recknagel, E, Weyer, G
Lenguaje:eng
Publicado: 1989
Materias:
Other Fields of Physics
Acceso en línea:https://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.63.179
http://cds.cern.ch/record/264850
Descripción
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