Mössbauer study of $^{119}$Sn defects in silicon from ion implantations of radioactive $^{119}$In

Detalles Bibliográficos
Autores principales: Weyer, G, Damgaard, S, Petersen, J W, Heinemeier, J
Lenguaje:eng
Publicado: 1980
Materias:
Other Fields of Physics
Acceso en línea:http://cds.cern.ch/record/264974
Descripción
Descripción no disponible.

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