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An additional contribution in the noise spectrum of SOI MOSFETs

Detalles Bibliográficos
Autores principales: Faccio, F, Aspell, P, Jarron, Pierre, Heijne, Erik H M
Lenguaje:eng
Publicado: 1996
Materias:
Acceso en línea:http://cds.cern.ch/record/325103