Evidence for vacancy percolation in highly-doped silicon

Detalles Bibliográficos
Autores principales: Müller, E, Nylandsted-Larsen, A, Weyer, G
Lenguaje:eng
Publicado: 1995
Materias:
Condensed Matter
Acceso en línea:http://cds.cern.ch/record/349605
Descripción
Descripción no disponible.

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