Study of radiation damage to Honeywell RICMOS-IV SOI transistors by charged hadrons

Detalles Bibliográficos
Autores principales: Grim, G P, Pellett, D E
Lenguaje:eng
Publicado: 1998
Materias:
Detectors and Experimental Techniques
Acceso en línea:http://cds.cern.ch/record/373307

Internet

http://cds.cern.ch/record/373307

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