Diffusion in intrinsic and highly doped III-V semiconductors

Detalles Bibliográficos
Autores principales: Bösker, G, Pöpping, J, Stolwijk, N, Mehrer, H, Burchard, A
Lenguaje:eng
Publicado: 1997
Materias:
Detectors and Experimental Techniques
Acceso en línea:http://cds.cern.ch/record/409317
Descripción
Descripción no disponible.

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