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SEU effects in registers and in a dual-ported static RAM designed in a 0.25 $\mu$m CMOS technology for applications in the LHC

Detalles Bibliográficos
Autores principales: Faccio, F, Kloukinas, Kostas C, Magazzù, G, Marchioro, A
Lenguaje:eng
Publicado: CERN 1999
Materias:
Acceso en línea:https://dx.doi.org/10.5170/CERN-1999-009.571
http://cds.cern.ch/record/437160

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