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Radiation-induced changes in the interstrip capacitance of silicon microstrip detectors

Detalles Bibliográficos
Autores principales: Feld, L, Braibant, S, Demaria, N, Fürtjes, A, Glessing, W D, Hammarström, R, Hebbeker, T, Honkanen, A, Honma, A, Kellong, R, Mannelli, M, Mariotti, C, Mättig, P, Piperov, S, Runólfsson, O, Schmitt, B, Skog, K
Lenguaje:eng
Publicado: 1998
Materias:
Acceso en línea:http://cds.cern.ch/record/539870