Etude des transistors MOS avancés sur Silicium sur isolant (SOI): bruit, dégradation et environnement radiatif et applications

Detalles Bibliográficos
Autor principal: Faccio, F
Lenguaje:fre
Publicado: CERN 1997
Materias:
Detectors and Experimental Techniques
Acceso en línea:http://cds.cern.ch/record/545820
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