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Etude des transistors MOS avancés sur Silicium sur isolant (SOI): bruit, dégradation et environnement radiatif et applications

Detalles Bibliográficos
Autor principal:	Faccio, F
Lenguaje:	fre
Publicado:	CERN 1997
Materias:	Detectors and Experimental Techniques
Acceso en línea:	http://cds.cern.ch/record/545820

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