Retraction: Enhanced resistive switching memory characteristics and mechanism using a Ti nanolayer at the W/TaOx interface

Detalles Bibliográficos
Autores principales: Prakash, Amit, Maikap, Siddheswar, Chiu, Hsien-Chin, Tien, Ta-Chang, Lai, Chao-Sung
Formato: Online Artículo Texto
Lenguaje:English
Publicado: Springer 2013
Materias:
Retraction
Acceso en línea:https://www.ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC3853228/
https://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/24229327
http://dx.doi.org/10.1186/1556-276X-8-419
Descripción
Sumario:

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