Đang tải…

Ab initio molecular dynamics simulation of the effects of stacking faults on the radiation response of 3C-SiC

In this study, an ab initio molecular dynamics method is employed to investigate how the existence of stacking faults (SFs) influences the response of SiC to low energy irradiation. It reveals that the C and Si atoms around the SFs are generally more difficult to be displaced than those in unfaulted...

Mô tả đầy đủ

Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính: Jiang, M., Peng, S. M., Zhang, H. B., Xu, C. H., Xiao, H. Y., Zhao, F. A., Liu, Z. J., Zu, X. T.
Định dạng: Online Bài viết Texto
Ngôn ngữ:English
Được phát hành: Nature Publishing Group 2016
Những chủ đề:
Truy cập trực tuyến:https://www.ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4754650/
https://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/26880027
http://dx.doi.org/10.1038/srep20669