Corrigendum: Active layers of high-performance lead zirconate titanate at temperatures compatible with silicon nano- and microelectronic devices

Detalles Bibliográficos
Autores principales: Bretos, Iñigo, Jiménez, Ricardo, Tomczyk, Monika, Rodríguez-Castellón, Enrique, Vilarinho, Paula M., Calzada, M. Lourdes
Formato: Online Artículo Texto
Lenguaje:English
Publicado: Nature Publishing Group 2016
Materias:
Corrigenda
Acceso en línea:https://www.ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4779985/
https://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/26948155
http://dx.doi.org/10.1038/srep22499
Descripción
Sumario:

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