Corrigendum: Impurity Resonant States p-type Doping in Wide-Band-Gap Nitrides

Detalles Bibliográficos
Autores principales: Liu, Zhiqiang, Yi, Xiaoyan, Yu, Zhiguo, Yuan, Guodong, Liu, Yang, Wang, Junxi, Li, Jinmin, Lu, Na, Ferguson, Ian, Zhang, Yong
Formato: Online Artículo Texto
Lenguaje:English
Publicado: Nature Publishing Group 2016
Materias:
Corrigenda
Acceso en línea:https://www.ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4837644/
https://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/27094639
http://dx.doi.org/10.1038/srep23950
Descripción
Sumario:

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