Erratum: Strain-Engineered Graphene Grown on Hexagonal Boron Nitride by Molecular Beam Epitaxy

Detalles Bibliográficos
Autores principales: Summerfield, Alex, Davies, Andrew, Cheng, Tin S., Korolkov, Vladimir V., Cho, Yong Jin, Mellor, Christopher J., Foxon, C. Thomas, Khlobystov, Andrei N., Watanabe, Kenji, Taniguchi, Takashi, Eaves, Laurence, Novikov, Sergei V., Beton, Peter H.
Formato: Online Artículo Texto
Lenguaje:English
Publicado: Nature Publishing Group 2016
Materias:
Erratum
Acceso en línea:https://www.ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4890580/
https://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/27253771
http://dx.doi.org/10.1038/srep27047

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