Corrigendum: Analysing black phosphorus transistors using an analytic Schottky barrier MOSFET model

Detalles Bibliográficos
Autores principales: Penumatcha, Ashish V., Salazar, Ramon B., Appenzeller, Joerg
Formato: Online Artículo Texto
Lenguaje:English
Publicado: Nature Publishing Group 2016
Materias:
Corrigenda
Acceso en línea:https://www.ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4897739/
https://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/27265156
http://dx.doi.org/10.1038/ncomms11913
Descripción
Sumario:

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