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Corrigendum: A Direct Method to Extract Transient Sub-Gap Density of State (DOS) Based on Dual Gate Pulse Spectroscopy

Detalles Bibliográficos
Autores principales: Dai, Mingzhi, Khan, Karim, Zhang, Shengnan, Jiang, Kemin, Zhang, Xingye, Wang, Weiliang, Liang, Lingyan, Cao, Hongtao, Wang, Pengjun, Wang, Peng, Miao, Lijing, Qin, Haiming, Jiang, Jun, Xue, Lixin, Chu, Junhao
Formato: Online Artículo Texto
Lenguaje:English
Publicado: Nature Publishing Group 2016
Materias:
Corrigenda
Acceso en línea:https://www.ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5090188/
https://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/27804978
http://dx.doi.org/10.1038/srep35519
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Internet

https://www.ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5090188/
https://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/27804978
http://dx.doi.org/10.1038/srep35519

Ejemplares similares

  • A Direct Method to Extract Transient Sub-Gap Density of State (DOS) Based on Dual Gate Pulse Spectroscopy
    por: Dai, Mingzhi, et al.
    Publicado: (2016)
  • Temperature Dependence Of AOS Thin Film Nano Transistors For Medical Applications
    por: Huo, Changhe, et al.
    Publicado: (2019)
  • Corrigendum: Recombination spot identification Based on gapped k-mers
    por: Wang, Rong, et al.
    Publicado: (2016)
  • Corrigendum: Growth of semiconducting single-wall carbon nanotubes with a narrow band-gap distribution
    por: Zhang, Feng, et al.
    Publicado: (2016)
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    por: Liu, Zhiqiang, et al.
    Publicado: (2016)

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