Corrigendum: MoS(2) memristor with photoresistive switching

Detalles Bibliográficos
Autores principales: Wang, Wei, Panin, Gennady N., Fu, Xiao, Zhang, Lei, Ilanchezhiyan, P., Pelenovich, Vasiliy O., Fu, Dejun, Kang, Tae Won
Formato: Online Artículo Texto
Lenguaje:English
Publicado: Nature Publishing Group 2016
Materias:
Corrigenda
Acceso en línea:https://www.ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5107931/
https://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/27841272
http://dx.doi.org/10.1038/srep33107

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