Corrigendum: Hexagonal Boron Nitride Tunnel Barriers Grown on Graphite by High Temperature Molecular Beam Epitaxy

Detalles Bibliográficos
Autores principales: Cho, Yong-Jin, Summerfield, Alex, Davies, Andrew, Cheng, Tin S., Smith, Emily F., Mellor, Christopher J., Khlobystov, Andrei N., Foxon, C. Thomas, Eaves, Laurence, Beton, Peter H., Novikov, Sergei V.
Formato: Online Artículo Texto
Lenguaje:English
Publicado: Nature Publishing Group 2017
Materias:
Corrigenda
Acceso en línea:https://www.ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5421103/
https://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/28480901
http://dx.doi.org/10.1038/srep46799

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