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481por Xu, Huilong, Zhang, Zhiyong, Shi, Runbo, Liu, Honggang, Wang, Zhenxing, Wang, Sheng, Peng, Lian-Mao“…Hall elements are by far the most widely used magnetic sensor. …”
Publicado 2013
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482por Pallecchi, E., Ridene, M., Kazazis, D., Lafont, F., Schopfer, F., Poirier, W., Goerbig, M. O., Mailly, D., Ouerghi, A.“…Here we discuss measurements on low-mobility graphene where the localized state at low magnetic fields and a quantum Hall state at higher fields are observed. We find that the system undergoes a direct transition from the insulating to the Hall conductor regime. …”
Publicado 2013
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483por Kendirlik, E. M., Sirt, S., Kalkan, S. B., Dietsche, W., Wegscheider, W., Ludwig, S., Siddiki, A.“…In this work we report on experiments performed on smooth edge-narrow Hall bars. The magneto-transport properties of intermediate mobility two-dimensional electron systems are investigated and analyzed within the screening theory of the integer quantized Hall effect. …”
Publicado 2013
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484“…We analyze the topological Hall conductivity (THC) of topologically nontrivial spin textures like magnetic vortices and skyrmions and investigate its possible application in the readback for magnetic memory based on those spin textures. …”
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485por Huang, Le, Xu, Huilong, Zhang, Zhiyong, Chen, Chengying, Jiang, Jianhua, Ma, Xiaomeng, Chen, Bingyan, Li, Zishen, Zhong, Hua, Peng, Lian-Mao“…This work not only paves the way to fabricate graphene/Si CMOS Hall ICs with much higher performance than that of conventional Hall ICs, but also provides a general method for scalable integration of graphene devices with silicon CMOS ICs via a low-temperature process.…”
Publicado 2014
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486por Sha, Z. D., Quek, S. S., Pei, Q. X., Liu, Z. S., Wang, T. J., Shenoy, V. B., Zhang, Y. W.“…We also show that its breaking strength and average grain size follow an inverse pseudo Hall-Petch relation, in agreement with experimental measurements. …”
Publicado 2014
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487“…Quantum anomalous Hall (QAH) effect, with potential applications in low-power-consumption electronics, is predicted in the heterostructure of graphene on the (001) surface of a real antiferromagnetic insulator RbMnCl(3), based on density-functional theory and Wannier function methods. …”
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489por Kou, Xufeng, Pan, Lei, Wang, Jing, Fan, Yabin, Choi, Eun Sang, Lee, Wei-Li, Nie, Tianxiao, Murata, Koichi, Shao, Qiming, Zhang, Shou-Cheng, Wang, Kang L.“…After decades of searching for the dissipationless transport in the absence of any external magnetic field, quantum anomalous Hall effect (QAHE) was recently achieved in magnetic topological insulator films. …”
Publicado 2015
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490por Fang, Yimei, Huang, Zhi-Quan, Hsu, Chia-Hsiu, Li, Xiaodan, Xu, Yixu, Zhou, Yinghui, Wu, Shunqing, Chuang, Feng-Chuan, Zhu, Zi-ZhongEnlace del recurso
Publicado 2015
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491“…The fractional quantum Hall effect has inspired searches for exotic emergent topological particles, such as fractionally charged excitations, composite fermions, abelian and nonabelian anyons and Majorana fermions. …”
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492“…However, there exists an obstacle known as the skyrmion Hall effect (SkHE), that is, the skyrmion trajectories bend away from the driving current direction due to the Magnus force. …”
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493“…However, Hall effect studies frequently reveal an unconventional behavior that cannot be readily explained with the simple band-semiconductor Hall effect model. …”
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494“…Analytic solutions are obtained for the internal capacitances, kinetic inductances, and magnetic inductances of quantum Hall effect devices to investigate whether or not the quantized Hall resistance is the only intrinsic impedance of importance in measurements of the ac quantum Hall effect. …”
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495por Zhang, Bao, Meng, Kang-Kang, Yang, Mei-Yin, Edmonds, K. W., Zhang, Hao, Cai, Kai-Ming, Sheng, Yu, Zhang, Nan, Ji, Yang, Zhao, Jian-Hua, Zheng, Hou-Zhi, Wang, Kai-You“…The change of planar Hall voltage is associated with magnetization switching through 90° in the plane under piezo voltages. …”
Publicado 2016
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496por Pellegrino, Francesco M. D., Giovannetti, Vittorio, MacDonald, Allan H., Polini, Marco“…We show that electron–electron interactions are responsible for an instability of graphene integer quantum Hall polariton fluids towards a modulated phase. …”
Publicado 2016
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497por Parmentier, F. D., Cazimajou, T., Sekine, Y., Hibino, H., Irie, H., Glattli, D. C., Kumada, N., Roulleau, P.“…We have observed the well-kown quantum Hall effect (QHE) in epitaxial graphene grown on silicon carbide (SiC) by using, for the first time, only commercial NdFeB permanent magnets at low temperature. …”
Publicado 2016
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498por Campbell, M. P., McConville, J.P.V., McQuaid, R.G.P., Prabhakaran, D., Kumar, A., Gregg, J. M.“…Here we demonstrate that intermittent-contact atomic force microscopy (AFM) can detect the Hall effect in conducting domain walls. Studying YbMnO(3) single crystals, we have confirmed that p-type conduction occurs in tail-to-tail charged domain walls. …”
Publicado 2016
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500“…We further predict that such system could demonstrate many distinctive properties, for example, chirality-dependent optical band gap and, more interestingly, anomalous valley Hall effect. On account of the latter, functional devices based on ferrovalley materials, such as valley-based nonvolatile random access memory and valley filter, are contemplated for valleytronic applications.…”
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