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1101“…Quantum spin Hall (QSH) insulators exhibit a bulk insulting gap and metallic edge states characterized by nontrivial topology. …”
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1102por Gertler, Maximilian, Dürr, Matthias, Renner, Peter, Poppert, Sven, Askar, Mona, Breidenbach, Janina, Frank, Christina, Preußel, Karina, Schielke, Anika, Werber, Dirk, Chalmers, Rachel, Robinson, Guy, Feuerpfeil, Irmgard, Tannich, Egbert, Gröger, Christine, Stark, Klaus, Wilking, Hendrik“…METHODS: We defined a case as a resident of Halle with gastroenteritis, Cryptosporidium-positive stool and disease onset weeks 27 through 47. …”
Publicado 2015
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1103por Pradhan, N. R., Rhodes, D., Memaran, S., Poumirol, J. M., Smirnov, D., Talapatra, S., Feng, S., Perea-Lopez, N., Elias, A. L., Terrones, M., Ajayan, P. M., Balicas, L.“…Here, we present a temperature (T) dependent comparison between field-effect and Hall mobilities in field-effect transistors based on few-layered WSe(2) exfoliated onto SiO(2). …”
Publicado 2015
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1104por Lafont, F., Ribeiro-Palau, R., Kazazis, D., Michon, A., Couturaud, O., Consejo, C., Chassagne, T., Zielinski, M., Portail, M., Jouault, B., Schopfer, F., Poirier, W.“…Replacing GaAs by graphene to realize more practical quantum Hall resistance standards (QHRS), accurate to within 10(−9) in relative value, but operating at lower magnetic fields than 10 T, is an ongoing goal in metrology. …”
Publicado 2015
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1105“…Here we use the topological Hall effect (THE) to study phase stability and current-driven dynamics of skyrmions in MnSi nanowires. …”
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1106“…After coupling with a superconductor, the chiral edge states of the quantum anomalous Hall insulator can still survive, making the backscattering impossible. …”
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1107por Raupach, Tobias, Grefe, Clemens, Brown, Jamie, Meyer, Katharina, Schuelper, Nikolai, Anders, SvenEnlace del recurso
Publicado 2015
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1108por Shang, T., Zhan, Q. F., Ma, L., Yang, H. L., Zuo, Z. H., Xie, Y. L., Li, H. H., Liu, L. P., Wang, B. M., Wu, Y. H., Zhang, S., Li, Run-Wei“…We report an investigation of anisotropic magnetoresistance (AMR) and anomalous Hall resistance (AHR) of Rh and Pt thin films sputtered on epitaxial Y(3)Fe(5)O(12) (YIG) ferromagnetic insulator films. …”
Publicado 2015
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1109por Zhang, Run-wu, Zhang, Chang-wen, Ji, Wei-xiao, Li, Sheng-shi, Yan, Shi-shen, Li, Ping, Wang, Pei-ji“…Search for two-dimensional III-V films with a nontrivial large-gap are quite crucial for the realization of dissipationless transport edge channels using quantum spin Hall (QSH) effects. Here we use first-principles calculations to predict a class of large-gap QSH insulators in functionalized TlSb monolayers (TlSbX(2); (X = H, F, Cl, Br, I)), with sizable bulk gaps as large as 0.22 ~ 0.40 eV. …”
Publicado 2016
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1110por Lee, Kevin C.“…Careful testing over a period of 6 years of a number of GaAs/AlGaAs quantized Hall resistors (QHR) made with alloyed AuGe/Ni contacts, both with and without passivating silicon nitride coatings, has resulted in the identification of important mechanisms responsible for degradation in the performance of the devices as resistance standards. …”
Publicado 1998
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1111“…We find that valley-polarized anomalous Hall effect (VAHE) can be realized in germanene by adsorbing Cr, Mn, or Co atoms on its surface. …”
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1112por Iida, Kazumasa, Grinenko, Vadim, Kurth, Fritz, Ichinose, Ataru, Tsukada, Ichiro, Ahrens, Eike, Pukenas, Aurimas, Chekhonin, Paul, Skrotzki, Werner, Teresiak, Angelika, Hühne, Ruben, Aswartham, Saicharan, Wurmehl, Sabine, Mönch, Ingolf, Erbe, Manuela, Hänisch, Jens, Holzapfel, Bernhard, Drechsler, Stefan-Ludwig, Efremov, Dmitri V.“…The Hall effect is a powerful tool for investigating carrier type and density. …”
Publicado 2016
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1113“…In particular, such phases are akin to the Weyl semimetal phase in the bulk system and they would exhibit an unusually large anomalous Hall effect.…”
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1114
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1115“…We present here a microscopic theory of a domain wall between spin unpolarized and spin polarized quantum Hall ferromagnet states at filling factor two with the Zeeman energy comparable to the cyclotron energy. …”
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1116“…The films were analyzed in situ by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and ex situ by X-ray diffraction (XRD), optical transmission and Hall effect measurements. Furthermore, we present results from in situ Hall effect measurements during vacuum annealing of In(2)O(3):H films, revealing distinct dependence of carrier concentration and mobility with time at different annealing temperatures. …”
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1117“…We have studied numerically the penetration depth of quantum spin hall edge states in chiral honeycomb nanoribbons based on the Green’s function method. …”
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1118por Wei, Di S., van der Sar, Toeno, Sanchez-Yamagishi, Javier D., Watanabe, Kenji, Taniguchi, Takashi, Jarillo-Herrero, Pablo, Halperin, Bertrand I., Yacoby, Amir“…Confined to a two-dimensional plane, electrons in a strong magnetic field travel along the edge in one-dimensional quantum Hall channels that are protected against backscattering. …”
Publicado 2017
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1119“…We propose a new type of terahertz time-domain spectroscopy in an isotropic semiconductor wafer applied by a magnetic field in which two cross-polarization THz pulses couple with each other via the Hall effect. We built a classic theoretic model to describe cross-polarization coupling THz spectroscopy (CPCTS). …”
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1120“…The topological Hall effect is evidence of skyrmions, and we demonstrate the simultaneous coexistence of opposite polarity skyrmions using a novel method involving minor field loops of the Hall effect.…”
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