Materias dentro de su búsqueda.
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62por Liu, JM, Liu, XL, Xu, XQ, Wang, J, Li, CM, Wei, HY, Yang, SY, Zhu, QS, Fan, YM, Zhang, XW, Wang, ZG“…The accurate determination of VBO and CBO is important for designing the w-InN/h-BN-based electronic devices.…”
Publicado 2010
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63“…The event occurred during the second Intensive Observation Period (IOP 2) of the PIANO field experiment in the Inn Valley, Austria, near the city of Innsbruck. …”
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64por Andreev, B. A., Kudryavtsev, K. E., Yablonskiy, A. N., Lobanov, D. N., Bushuykin, P. A., Krasilnikova, L. V., Skorokhodov, E. V., Yunin, P. A., Novikov, A. V., Davydov, V. Yu, Krasilnik, Z. F.“…The observation of a stimulated emission at interband transitions in monocrystalline n-InN layers under optical pumping is reported. The spectral position of the stimulated emission changes over a range of 1.64 to 1.9 μm with variations of free electron concentration in InN layers from 2·10(19) cm(−3) to 3·10(17) cm(−3). …”
Publicado 2018
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68por Nishihama, Ryuichi, Schreiter, Jennifer H., Onishi, Masayuki, Vallen, Elizabeth A., Hanna, Julia, Moravcevic, Katarina, Lippincott, Margaret F., Han, Haesun, Lemmon, Mark A., Pringle, John R., Bi, Erfei“…Inn1 is essential for PS formation but not for Chs2 localization. …”
Publicado 2009
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69por Jia, Caihong, Chen, Yonghai, Guo, Yan, Liu, Xianglin, Yang, Shaoyan, Zhang, Weifeng, Wang, Zhanguo“…X-ray photoelectron spectroscopy has been used to measure the valence band offset of the InN/BaTiO(3 )heterojunction. It is found that a type-I band alignment forms at the interface. …”
Publicado 2011
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70por Nguyen, Hien P., Ratu, Safirah T. N., Yasuda, Michiko, Göttfert, Michael, Okazaki, Shin“…The innB gene was found to encode a hypothetical protein that is highly conserved among T3SS-harboring rhizobia. …”
Publicado 2018
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71por Svrcek, Vladimir, Kolenda, Marek, Kadys, Arunas, Reklaitis, Ignas, Dobrovolskas, Darius, Malinauskas, Tadas, Lozach, Mickael, Mariotti, Davide, Strassburg, Martin, Tomašiūnas, Roland“…In this paper, a superior-quality InN/p-GaN interface grown using pulsed metalorganic vapor-phase epitaxy (MOVPE) is demonstrated. …”
Publicado 2018
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72por Casallas-Moreno, Y. L., Gallardo-Hernández, S., Yee-Rendón, C. M., Ramírez-López, M., Guillén-Cervantes, A., Arias-Cerón, J. S., Huerta-Ruelas, J., Santoyo-Salazar, J., Mendoza-Álvarez, J. G., López-López, M.“…Self-assembled InN nanocolumns were grown at low temperatures by plasma-assisted molecular beam epitaxy with a high crystalline quality. …”
Publicado 2019
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73“…We present a comprehensive analysis of four south föhn events observed during the Penetration and Interruption of Alpine Foehn (PIANO) field campaign in the Inn Valley, Austria, in the vicinity of Innsbruck. …”
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76por Łepkowski, Sławomir P.“…In this study, we present a theoretical study of the quantum spin Hall effect in InN/InGaN coupled multiple quantum wells with the individual well widths equal to two atomic monolayers. …”
Publicado 2023
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77por Li, Zhiwei, Zhang, Biao, Wang, Jun, Liu, Jianming, Liu, Xianglin, Yang, Shaoyan, Zhu, Qinsheng, Wang, Zhanguo“…The valence band offset (VBO) of wurtzite indium nitride/strontium titanate (InN/SrTiO(3)) heterojunction has been directly measured by x-ray photoelectron spectroscopy. …”
Publicado 2011
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78“…An indium nitride (InN) gas sensor of 10 nm in thickness has achieved detection limit of 0.4 ppm acetone. …”
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79por Wang, X., Zhang, G. Z., Xu, Y., Gan, X. W., Chen, C., Wang, Z., Wang, Y., Wang, J. L., Wang, T., Wu, H., Liu, C.“…InN-based metal-insulator-semiconductor (MIS) structures were prepared with Al(2)O(3) as the gate oxides. …”
Publicado 2016
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80“…Our study shows that the energy gap of the InGaN DA can be tuned from ~0.63 eV up to ~2.4 eV, where the thicknesses and the thickness ratio of each GaN and InN ultra-thin binary layers within the DA structure are the key factors for tuning bandgap. …”
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