Materias dentro de su búsqueda.
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Ingeniería eléctrica
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13por Tang, JauEnlace del recurso
Publicado 2010
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14“…Random telegraph noise is a widely investigated phenomenon affecting the reliability of the reading operation of the class of memristive devices whose operation relies on formation and dissolution of conductive filaments. …”
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17por Li, Zuo, Sotto, Moïse, Liu, Fayong, Husain, Muhammad Khaled, Yoshimoto, Hiroyuki, Sasago, Yoshitaka, Hisamoto, Digh, Tomita, Isao, Tsuchiya, Yoshishige, Saito, Shinichi“…The Random Telegraph Noise (RTN) in an advanced Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET) is considered to be triggered by just one electron or one hole, and its importance is recognised upon the aggressive scaling. …”
Publicado 2018
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18por Cai, Xiangji“…We theoretically study the dynamical dephasing of a quantum two level system interacting with an environment which exhibits non-Markovian random telegraph fluctuations. The time evolution of the conditional probability of the environmental noise is governed by a generalized master equation depending on the environmental memory effect. …”
Publicado 2020
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19por Flexer, Michael JEnlace del recurso
Publicado 2020
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20por Spinelli, Alessandro S., Malavena, Gerardo, Lacaita, Andrea L., Monzio Compagnoni, Christian“…In this paper, we review the phenomenology of random telegraph noise (RTN) in 3D NAND Flash arrays. The main features of such arrays resulting from their mainstream integration scheme are first discussed, pointing out the relevant role played by the polycrystalline nature of the string silicon channels on current transport. …”
Publicado 2021
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