Materias dentro de su búsqueda.
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2261“…The modeling and fabrication of a magnetic microsensor based on a magneto-transistor were presented. The magnetic sensor is fabricated by the commercial 0.18 μm complementary metal oxide semiconductor (CMOS) process without any post-process. …”
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2262por Zhao, Guangyao, Dong, Huanli, Liao, Qing, Jiang, Jun, Luo, Yi, Fu, Hongbing, Hu, Wenping“…Here, we show an organic integrated optoelectronic device, namely, organic field-effect optical waveguide, integrating field-effect transistor and optical waveguide together. In such device, the propagation of optical waveguide in the active organic semiconductor can be tuned by the third terminal—the gate electrode of transistor, giving a controllable modulation depth as high as 70% and 50% in parallel and perpendicular directions of charge transport versus optical waveguide, respectively. …”
Publicado 2018
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2263“…In this study, we propose a highly sensitive transparent urea enzymatic field-effect transistor (EnFET) point-of-care (POC) diagnostic test sensor using a triple-gate amorphous indium gallium zinc oxide (a-IGZO) thin-film pH ion-sensitive field-effect transistor (ISFET). …”
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2264por Gómez Gómez, ManuelTabla de Contenidos: “…Rectificación.-- Cap.10. El transistor bipolar.-- Cap.11. Amplificadores. Amplificador con transistores.-- Cap.12. …”
Publicado 2007
Libro -
2265por Cheng, Keh Yung“…The book concludes with chapters dedicated to a number of heterostructure electronic and photonic devices, including the high-electron-mobility transistor, the heterojunction bipolar transistor, lasers, unipolar photonic devices, and integrated optoelectronic devices. …”
Publicado 2020
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2266por Bhardwaj, Bishwajeet Singh, Sugiyama, Takeshi, Namba, Naoko, Umakoshi, Takayuki, Uemura, Takafumi, Sekitani, Tsuyoshi, Verma, Prabhat“…We also show a perspective of this technique for orientation analysis of DNTT molecules within a transistor device.…”
Publicado 2019
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2267por Zhao, Dongxue, Xia, Zhiliang, Yang, Tao, Yang, Yuancheng, Zhou, Wenxi, Huo, Zongliang“…A novel vertical dual surrounding gate transistor with embedded oxide layer is proposed for capacitorless single transistor DRAM (1T DRAM). …”
Publicado 2022
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2268por Mah, Siew Kien, Ker, Pin Jern, Ahmad, Ibrahim, Zainul Abidin, Noor Faizah, Ali Gamel, Mansur Mohammed“…At the 90-nm node, the rate of transistor miniaturization slows down due to challenges in overcoming the increased leakage current (I(off)). …”
Publicado 2021
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2269por Kutovyi, Yurii, Madrid, Ignacio, Zadorozhnyi, Ihor, Boichuk, Nazarii, Kim, Soo Hyeon, Fujii, Teruo, Jalabert, Laurent, Offenhaeusser, Andreas, Vitusevich, Svetlana, Clément, Nicolas“…Transistor biosensors are mass-fabrication-compatible devices of interest for point of care diagnosis as well as molecular interaction studies. …”
Publicado 2020
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2270por Qi, Shaocheng, Hu, Yongbin, Dai, Chaoqi, Chen, Peiqin, Wu, Zhendong, Webster, Thomas J, Dai, Mingzhi“…BACKGROUND: As a key component in artificial intelligence computing, a transistor design is updated here as a potential alternative candidate for artificial synaptic behavior implementation. …”
Publicado 2020
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2271“…Our parameter extraction method was tested with capacitors analogous to polymer-electrolyte gated FETs, electrolyte gated Field effect transistor (EGOFET) and Organic Electrolyte Gated Field Effect Transistor (OEGFET) capacitance stacks. …”
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2272“…Ultimately, the impact of transistor aging on analog circuits is studied. Aging-resilient and aging-immune circuits are identified and the impact of technology scaling is discussed. …”
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2273por Jarron, Pierre“…We will present some promising nanoelectronic devices and circuits based on Single Electron Tunneling (SET) transistor, nanowire, quantum dot and carbon nanotubes. …”
Publicado 2004
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2274“…For a detector capacitance of 20 pF noise below 1500 e/sup -/ ENC has been achieved for 300 mu A bias current in the input transistor, which is comparable with levels achieved in the past for a front-end using bipolar input transistor. …”
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2275por Takeda, Seiji, Nakamura, Motonori, Ishii, Atsushi, Subagyo, Agus, Hosoi, Hirotaka, Sueoka, Kazuhisa, Mukasa, Koichi“…The device showed properties of ann-type field effect transistor when a potential was applied to the nanotube from the top gate electrode. …”
Publicado 2007
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2276“…We present a single-transistor pixel for CMOS image sensors (CIS). It is a floating-body MOSFET structure, which is used as photo-sensing device and source-follower transistor, and can be controlled to store and evacuate charges. …”
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2277“…Under several circumstances, a nanowire transistor with a square cross-section behaves as a circular. …”
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2278“…SAMs have been used as ultrathin gate dielectric layers in low-voltage transistors owing to their molecularly thin nature. …”
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2279“…We report recent improvements of the tip-on-gate of field-effect-transistor (ToGoFET) probe used for capacitive measurement. …”
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2280“…This study presents a gate-all-around InAs–Si vertical tunnel field-effect transistor with a triple metal gate (VTG-TFET). We obtained improved switching characteristics for the proposed design because of the improved electrostatic control on the channel and the narrow bandgap source. …”
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