Materias dentro de su búsqueda.
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301por Cho, Yongbeom, Lee, Jae Yoon, Yu, Eunseon, Han, Jae-Hee, Baek, Myung-Hyun, Cho, Seongjae, Park, Byung-Gook“…In this work, a study on a semi-floating-gate synaptic transistor (SFGST) is performed to verify its feasibility in the more energy-efficient hardware-driven neuromorphic system. …”
Publicado 2019
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302“…Over the past decades, a variety of inkjet‐printed applications including thin‐film transistors (TFTs), radio‐frequency identification devices, sensors, and displays have been explored. …”
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303
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304por Gualandi, Isacco, Tessarolo, Marta, Mariani, Federica, Tonelli, Domenica, Fraboni, Beatrice, Scavetta, Erika“…Here, an organic electrochemical transistor (OECT) has been designed with an alternative architecture that allows to record the potentiometric signals of gate electrodes, which have been chemically modified to obtain Ag/Ag(n)X interfaces (X = Cl(−), Br(−), I(−), and S(2−)), without the use of a reference electrode. …”
Publicado 2019
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305por Cheng, Yang-Hsun, Au-Duong, Ai-Nhan, Chiang, Tsung-Yen, Wei, Zi-Yuan, Chen, Kai-Lin, Lai, Juin-Yih, Hu, Chien-Chieh, Chueh, Chu-Chen, Chiu, Yu-Cheng“…[Image: see text] In this work, a novel thermoresponsive switching transistor is developed through the rational design of active materials based on the typical field-effect transistor (FET) device configuration, where the active material is composed of a blend of a thermal expansion polymer and a polymeric semiconductor. …”
Publicado 2019
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306“…Vacuum channel transistors are potential candidates for low-loss and high-speed electronic devices beyond complementary metal-oxide-semiconductors (CMOS). …”
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307“…[Image: see text] Organic light-emitting transistors (OLETs) integrate the light-emitting and gate-modulated electrical switching functions in a single device. …”
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308por Liang, Lijuan, He, Wenjuan, Cao, Rong, Wei, Xianfu, Uemura, Sei, Kamata, Toshihide, Nakamura, Kazuki, Ding, Changshuai, Liu, Xuying, Kobayashi, Norihisa“…Organic nonvolatile transistor memory with synthetic polypeptide derivatives as dielectric was fabricated by a solution process. …”
Publicado 2020
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309por Beck, Megan E., Shylendra, Ahish, Sangwan, Vinod K., Guo, Silu, Gaviria Rojas, William A., Yoo, Hocheon, Bergeron, Hadallia, Su, Katherine, Trivedi, Amit R., Hersam, Mark C.“…Here, we demonstrate unprecedented electrostatic control of dual-gated Gaussian heterojunction transistors for simplified spiking neuron implementation. …”
Publicado 2020
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310“…This Special Issue looks at recent developments in the research field of Nanowire Field-Effect Transistors (NW-FETs), covering different aspects of technology, physics, and modelling of these nanoscale devices. …”
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311por Zhao, Junqing, Bu, Tianzhao, Zhang, Xiaohan, Pang, Yaokun, Li, Wenjian, Zhang, Zhi, Liu, Guoxu, Wang, Zhong Lin, Zhang, Chi“…Here, we propose an intrinsically stretchable organic tribotronic transistor (SOTT) without a top gate electrode, which is composed of a stretchable substrate, silver nanowire electrodes, semiconductor blends, and a nonpolar elastomer dielectric. …”
Publicado 2020
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312por Wu, Chuanli, Qiao, Xiaohang, Robertson, Craig M., Higgins, Simon J., Cai, Chenxin, Nichols, Richard J., Vezzoli, Andrea“…Operating the device in an electrochemical environment allowed us to probe charge transport through different oxidation states of the polyoxometalate, and we report here an efficient three‐state transistor behaviour. Conductance data fits a quantum tunnelling mechanism with different charge‐transport probabilities through different charge states. …”
Publicado 2020
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313por Waltl, Michael“…To analyze the reliability of semiconductor transistors, changes in the performance of the devices during operation are evaluated. …”
Publicado 2020
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314“…Complying with the Moore’s law, to increase the transistor density of an Integrated Circuit, new alternate materials for fabrication have been tried, instead of silicon due to its limitations in reducing transistor dimensions. …”
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315por Gayduchenko, I., Xu, S. G., Alymov, G., Moskotin, M., Tretyakov, I., Taniguchi, T., Watanabe, K., Goltsman, G., Geim, A. K., Fedorov, G., Svintsov, D., Bandurin, D. A.“…Our work demonstrates a potential application of tunnel transistors for THz detection and reveals BLG as a promising platform therefor.…”
Publicado 2021
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316por Javadi, Elham, But, Dmytro B., Ikamas, Kęstutis, Zdanevičius, Justinas, Knap, Wojciech, Lisauskas, Alvydas“…This array utilises field-effect transistors and monolithically integrated patch antennas at 620 GHz. …”
Publicado 2021
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317por Naumova, O. V., Generalov, V. M., Zaitseva, E. G., Latyshev, A. V., Aseev, A. L., Pyankov, S. A., Kolosova, I. V., Ananko, G. G., Agafonov, A. P., Gavrilova, E. V., Maksyutov, R. A., Safatov, A. S.“…This article contains the results of research on the topical problem of highly sensitive express registration of biological objects using field-effect transistors with the surface open for analyte access, which are made based on silicon-on-insulator (SOI) films. …”
Publicado 2021
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318por Gregušová, Dagmar, Dobročka, Edmund, Eliáš, Peter, Stoklas, Roman, Blaho, Michal, Pohorelec, Ondrej, Haščík, Štefan, Kučera, Michal, Kúdela, RóbertEnlace del recurso
Publicado 2021
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320por Han, Joon-Kyu, Chung, Young-Woo, Sim, Jaeho, Yu, Ji-Man, Lee, Geon-Beom, Kim, Sang-Hyeon, Choi, Yang-Kyu“…A mnemonic-opto-synaptic transistor (MOST) that has triple functions is demonstrated for an in-sensor vision system. …”
Publicado 2022
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