Materias dentro de su búsqueda.
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321por Baek, Yeong Jo, Kang, In Hye, Hwang, Sang Ho, Han, Ye Lin, Kang, Min Su, Kang, Seok Jun, Kim, Seo Gwon, Woo, Jae Geun, Yu, Eun Seong, Bae, Byung Seong“…A vertical oxide thin-film transistor was developed with interfacial oxidation for low voltage operation. …”
Publicado 2022
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322“…The device is a triboelectric transistor with a simple structure and is manufactured using a simple process. …”
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323“…Software tools that are able to simulate the functionality or interactions of an enzyme biosensor with Metal Oxide Semiconductor (MOS), or any Field Effect Transistor (FET) as transducer, represent a gap in the market. …”
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324por Baek, Sungpyo, Yoo, Hyun Ho, Ju, Jae Hyeok, Sriboriboon, Panithan, Singh, Prashant, Niu, Jingjie, Park, Jin‐Hong, Shin, Changhwan, Kim, Yunseok, Lee, Sungjoo“…To address the demands of emerging data‐centric computing applications, ferroelectric field‐effect transistors (Fe‐FETs) are considered the forefront of semiconductor electronics owing to their energy and area efficiency and merged logic–memory functionalities. …”
Publicado 2022
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325por Abiram, Gnanasampanthan, Thanihaichelvan, Murugathas, Ravirajan, Punniamoorthy, Velauthapillai, Dhayalan“…However, the use of the perovskite semiconductors as a channel material in field effect transistors (FET) are much lower than expected due to the poor performance of the devices. …”
Publicado 2022
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326por Mostardinha, Hugo, Matos, Diogo, Carvalho, Nuno Borges, Sampaio, Jorge, Pinto, Marco, Gonçalves, Patricia, Sousa, Tiago, Kurpas, Paul, Wuerfl, Joachim, Barnes, Andrew, Garat, François, Poivey, Christian“…The total ionizing dose was measured with a Radiation Sensing Field Effect Transistors (RadFET) placed close to the GaN devices. …”
Publicado 2022
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327“…Field-effect transistors (FETs) have become eminent electronic devices for biosensing applications owing to their high sensitivity, faster response and availability of advanced fabrication techniques for their production. …”
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328“…Nanoscale vacuum channel transistors (NVCTs) are promising candidates in electronics due to their high frequency, fast response and high reliability, and have attracted considerable attention for structural design and optimization. …”
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329por Stein, Eyal, Nahor, Oded, Stolov, Mikhail, Freger, Viatcheslav, Petruta, Iuliana Maria, McCulloch, Iain, Frey, Gitti L.“…CMOS-like circuits in bioelectronics translate biological to electronic signals using organic electrochemical transistors (OECTs) based on organic mixed ionic-electronic conductors (OMIECs). …”
Publicado 2022
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330“…Graphene field-effect transistors (GFETs) exhibit unique switch and sensing features. …”
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331“…The last decade has witnessed the significant progress in the size scaling of 2D transistors by various approaches, in which the physical gate length of the transistors has shrank from micrometer to sub-one nanometer with superior performance, illustrating their potential as a replacement technology for Si MOSFETs. …”
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332por Cao, Rongrong, Zhang, Xumeng, Liu, Sen, Lu, Jikai, Wang, Yongzhou, Jiang, Hao, Yang, Yang, Sun, Yize, Wei, Wei, Wang, Jianlu, Xu, Hui, Li, Qingjiang, Liu, Qi“…Here, we propose an anti-ferroelectric field-effect transistor neuron based on the inherent polarization and depolarization of Hf(0.2)Zr(0.8)O(2) anti-ferroelectric film to meet these challenges. …”
Publicado 2022
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333por Ravariu, CristianEnlace del recurso
Publicado 2022
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334por Griggs, Sophie, Marks, Adam, Meli, Dilara, Rebetez, Gonzague, Bardagot, Olivier, Paulsen, Bryan D., Chen, Hu, Weaver, Karrie, Nugraha, Mohamad I., Schafer, Emily A., Tropp, Joshua, Aitchison, Catherine M., Anthopoulos, Thomas D., Banerji, Natalie, Rivnay, Jonathan, McCulloch, Iain“…Organic electrochemical transistors are a promising technology for bioelectronic devices, with applications in neuromorphic computing and healthcare. …”
Publicado 2022
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335“…Due to its unique structure, discoveries in nanoscale vacuum channel transistors (NVCTs) have demonstrated novel vacuum nanoelectronics. …”
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336por Han, Joon‐Kyu, Lee, Jung‐Woo, Kim, Yeeun, Kim, Young Bin, Yun, Seong‐Yun, Lee, Sang‐Won, Yu, Ji‐Man, Lee, Keon Jae, Myung, Hyun, Choi, Yang‐Kyu“…The synapse at top is a single thin‐film transistor (1TFT‐synapse) made of poly‐crystalline silicon film and the neuron at bottom is another single transistor (1T‐neuron) made of single‐crystalline silicon. …”
Publicado 2023
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339“…While the thin gate oxide of the transistors is extremely tolerant to dose, charge trapping at the edge of the transistor still leads to leakage currents and, for the narrow channel transistors, to significant threshold voltage shift-an effect that we call Radiation Induced Narrow Channel Effect (RINCE).…”
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340por Gao, Jianjun“…The following chapters address modeling techniques for field effect transistors and cover models such …”
Publicado 2010
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