Materias dentro de su búsqueda.
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501por Kumar, Manoharan Arun, Jayavel, Ramasamy, Mahalingam, Shanmugam, Kim, Junghwan, Atchudan, Raji“…Sensor devices like electrical-based field-effect transistors play an essential role in sensing biomolecules by charge probing. …”
Publicado 2023
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502por Zhang, Jian, Barin, Gabriela Borin, Furrer, Roman, Du, Cheng-Zhuo, Wang, Xiao-Ye, Müllen, Klaus, Ruffieux, Pascal, Fasel, Roman, Calame, Michel, Perrin, Mickael L.“…In recent years, a range of GNR-based field-effect transistors (FETs) has been fabricated, with several demonstrating quantum-dot (QD) behavior at cryogenic temperatures. …”
Publicado 2023
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503por Moon, Seung Jae, Han, Ye Lin, Hwang, Sang Ho, Kang, Seo Jin, Lee, Jong Mo, Bae, Byung Seong“…[Image: see text] A low-cost water-level sensor was developed utilizing a capacitive sensor design with only one thin-film transistor (TFT). The integration of the a-IGZO TFT process facilitated the complete integration of the water-level sensor on a substrate, including essential components, such as the transistor, capacitor, wires, and sensing electrode. …”
Publicado 2023
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504por Xiao, Zhaojing, Liu, Liting, Chen, Yang, Lu, Zheyi, Yang, Xiaokun, Gong, Zhenqi, Li, Wanying, Kong, Lingan, Ding, Shuimei, Li, Zhiwei, Lu, Donglin, Ma, Likuan, Liu, Songlong, Liu, Xiao, Liu, Yuan“…Vertical field effect transistors (VFETs) have attracted considerable interest for developing ultra‐scaled devices. …”
Publicado 2023
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505por Tavares, Luciana, Kjelstrup-Hansen, Jakob, Thilsing-Hansen, Kasper, Rubahn, Horst-Günter“…The electrical properties of self-assembled organic crystalline nanofibers are studied by integrating these on field-effect transistor platforms using both top and bottom contact configurations. …”
Publicado 2011
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506“…In this study, we synthesized an organic electrochemical transistor (OECT) using dielectrophoresis of a carbon nanotube-Nafion (CNT-Nafion) suspension. …”
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507por Ahmed, Rizwan, Sams, Michael, Simbrunner, Clemens, Ullah, Mujeeb, Rehman, Kamila, Schwabegger, Günther, Sitter, H., Ostermann, Timm“…We fabricated 48 transistors and each transistor was measured for 24 h inside the glove box. …”
Publicado 2012
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508por Ubbelohde, Niels, Fricke, Christian, Flindt, Christian, Hohls, Frank, Haug, Rolf J.“…Here we demonstrate that the electrical fluctuations in a single-electron transistor can be accurately measured on all relevant frequencies using a nearby quantum point contact for on-chip real-time detection of the current pulses in the single-electron device. …”
Publicado 2012
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509por Ding, Li, Zhang, Zhiyong, Liang, Shibo, Pei, Tian, Wang, Sheng, Li, Yan, Zhou, Weiwei, Liu, Jie, Peng, Lian-Mao“…Field-effect transistors based on carbon nanotubes have been shown to be faster and less energy consuming than their silicon counterparts. …”
Publicado 2012
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510por Duan, Xiaojie, Gao, Ruixuan, Xie, Ping, Cohen-Karni, Tzahi, Qing, Quan, Choe, Hwan Sung, Tian, Bozhi, Jiang, Xiaocheng, Lieber, Charles M.“…Techniques that involve inserting metal or carbon microelectrodes into cells are subject to similar constraints(4,7-9). Field-effect transistors (FETs) can also record electric potentials inside cells(10), and since their performance does not depend on impedance(11,12), they can be made much smaller than micropipettes and microelectrodes. …”
Publicado 2011
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511“…Here, we introduce the same concept of an LEC in the organic field effect transistors (OFETs). The presence of both electronic and ionic charge carriers in the active layers of OFETs brings high charge carrier mobility and light emission even using symmetric source and drain metal electrodes.…”
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512por Schaur, Stefan, Stadler, Philipp, Meana-Esteban, Beatriz, Neugebauer, Helmut, Serdar Sariciftci, N.“…This doped state is evoked at the transistor injection electrodes. An improvement is observed when comparing transistor characteristics before and after the doping process apparent by an improved transistor on-current. …”
Publicado 2012
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513por Mao, Shun, Yu, Kehan, Chang, Jingbo, Steeber, Douglas A., Ocola, Leonidas E., Chen, Junhong“…A sensitive and selective field-effect transistor (FET) biosensor is demonstrated using vertically-oriented graphene (VG) sheets labeled with gold nanoparticle (NP)-antibody conjugates. …”
Publicado 2013
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514por Gentile, Francesco, Coppedè, Nicola, Tarabella, Giuseppe, Villani, Marco, Calestani, Davide, Candeloro, Patrizio, Iannotta, Salvatore, Di Fabrizio, EnzoEnlace del recurso
Publicado 2014
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515por Okamoto, Hideki, Eguchi, Ritsuko, Hamao, Shino, Goto, Hidenori, Gotoh, Kazuma, Sakai, Yusuke, Izumi, Masanari, Takaguchi, Yutaka, Gohda, Shin, Kubozono, Yoshihiro“…The μ values recorded in this study show that [8]phenacene is a promising molecule for transistor applications.…”
Publicado 2014
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516“…The development of novel devices, instrumentation and approaches facilitates this endeavor. Here, we show a transistor-like device that can be used to control the kinetics of the consumption of glucose at a yeast-immobilised electrode. …”
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517por Chikkadi, Kiran, Muoth, Matthias, Roman, Cosmin, Haluska, Miroslav, Hierold, Christofer“…Recently, contact-passivated, open-channel individual single-walled carbon nanotube field-effect transistors have been shown to be operational at room temperature with ultra-low power consumption. …”
Publicado 2014
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518por Mulla, Mohammad Yusuf, Tuccori, Elena, Magliulo, Maria, Lattanzi, Gianluca, Palazzo, Gerardo, Persaud, Krishna, Torsi, Luisa“…Here we report on the sensitive and quantitative measurement of the weak interactions associated with neutral enantiomers differentially binding to OBPs immobilized through a self-assembled monolayer to the gate of an organic bio-electronic transistor. The transduction is remarkably sensitive as the transistor output current is governed by the small capacitance of the protein layer undergoing minute changes as the ligand–protein complex is formed. …”
Publicado 2015
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519“…In this work, we propose a voltage-gated skyrmion transistor within the well-established framework of micromagnetics. …”
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520“…The paper reported the fabrication and operation of nonvolatile ferroelectric field effect transistors (FeFETs) with a top gate and top contact structure. …”
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