Materias dentro de su búsqueda.
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981por Yang, Peng, Zha, Jiajia, Gao, Guoyun, Zheng, Long, Huang, Haoxin, Xia, Yunpeng, Xu, Songcen, Xiong, Tengfei, Zhang, Zhuomin, Yang, Zhengbao, Chen, Ye, Ki, Dong-Keun, Liou, Juin J., Liao, Wugang, Tan, Chaoliang“…Here we report the growth of high-quality Te nanobelts on atomically flat hexagonal boron nitride (h-BN) for high-performance p-type field-effect transistors (FETs). Importantly, the Te-based FET exhibits an ultrahigh hole mobility up to 1370 cm(2) V(−1) s(−1) at room temperature, that may lay the foundation for the future high-performance p-type 2D FET and metal–oxide–semiconductor (p-MOS) inverter. …”
Publicado 2022
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982por Jewel, Mohi Uddin, Mahmud, MD Shamim, Monne, Mahmuda Akter, Zakhidov, Alex, Chen, Maggie Yihong“…We report the growth of zirconium oxide (ZrO(2)) as a high-k gate dielectric for an inkjet-printed transistor using a low-temperature atomic layer deposition (ALD) from tetrakis(dimethylamido)zirconium (TDMAZr) and water precursors. …”
Publicado 2019
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983por Tanaka, Atsushi, Sugiura, Ryuji, Kawaguchi, Daisuke, Wani, Yotaro, Watanabe, Hirotaka, Sena, Hadi, Ando, Yuto, Honda, Yoshio, Igasaki, Yasunori, Wakejima, Akio, Ando, Yuji, Amano, Hiroshi“…We demonstrated the thinning of GaN-on-GaN high-electron-mobility transistors (HEMTs) using a laser slicing technique. …”
Publicado 2022
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984por Watanabe, Motonori, Miyazaki, Takaaki, Matsushima, Toshinori, Matsuda, Junko, Chein, Ching-Ting, Shibahara, Masahiko, Adachi, Chihaya, Sun, Shih-Sheng, Chow, Tahsin J., Ishihara, Tatsumi“…The organic thin-film transistors (OFETs) were fabricated by using 2-bromohexacene and parent hexacene through vaccum deposition method. …”
Publicado 2018
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985por An, Cunbin, Makowska, Hanna, Hu, Benlin, Duan, Ruomeng, Pisula, Wojciech, Marszalek, Tomasz, Baumgarten, Martin“…A less balanced transport in field-effect transistors with increased electron mobility of 0.258 cm(2) V(−1) s(−1) and lowered hole transport of 2.4 × 10(−3) cm(2) V(−1) s(−1) was found for P2. …”
Publicado 2018
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986“…By introducing bulky 2-phenylethyl groups into sulfur-rich electron acceptors, 5,5′-bithiazolidinylidene-2,2′-dione-4,4′-dithione and 5,5′-bithiazolidinylidene-2,4,2′,4′-tetrathione, electron transport with the mobility of 0.27 cm(2) V(−1) s(−1) with ambient and long-term stability is achieved in thin-film transistors. Bulky groups destroy the intermolecular S–S network, but the long-term transistor stability is maintained. …”
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987por Cho, Whirang, Rafi, Harmain, Cho, Seulki, Balijepalli, Arvind, Zestos, Alexander G.“…We interfaced carbon fiber microelectrode (CFME) sensors with both fast scan cyclic voltammetry (FSCV) and field-effect transistor (FET) transducers for dynamic pH measurements. …”
Publicado 2022
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988“…With the development of stretchable, printable, and implantable electronics, organic field-effect transistors (OFETs) with a self-healable capability are becoming increasingly important both academically and industrially. …”
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989
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990por Shim, Hyunseok, Jang, Seonmin, Thukral, Anish, Jeong, Seongsik, Jo, Hyeseon, Kan, Bin, Patel, Shubham, Wei, Guodan, Lan, Wei, Kim, Hae-Jin, Yu, Cunjiang“…This paper introduces artificial neuromorphic cognitive skins based on arrayed, biaxially stretchable synaptic transistors constructed entirely out of elastomeric materials. …”
Publicado 2022
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991por Li, Gangrong, Wei, Qianhui, Wei, Shuhua, Zhang, Jing, Jin, Qingxi, Wang, Guozhi, Hu, Jiawei, Zhu, Yan, Kong, Yun, Zhang, Qingzhu, Zhao, Hongbin, Wei, Feng, Tu, Hailing“…In this study, we report a pH-responsive hydrogel-modified silicon nanowire field-effect transistor for pH sensing, whose modification is operated by spin coating, and whose performance is characterized by the electrical curve of field-effect transistors. …”
Publicado 2022
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992por Knobloch, Theresia, Uzlu, Burkay, Illarionov, Yury Yu., Wang, Zhenxing, Otto, Martin, Filipovic, Lado, Waltl, Michael, Neumaier, Daniel, Lemme, Max C., Grasser, Tibor“…Here, we show that device stability in graphene-based field-effect transistors with amorphous gate oxides can be improved by Fermi-level tuning. …”
Publicado 2022
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993por Henck, Hugo, Mauro, Diego, Domaretskiy, Daniil, Philippi, Marc, Memaran, Shahriar, Zheng, Wenkai, Lu, Zhengguang, Shcherbakov, Dmitry, Lau, Chun Ning, Smirnov, Dmitry, Balicas, Luis, Watanabe, Kenji, Taniguchi, Takashi, Fal’ko, Vladimir I., Gutiérrez-Lezama, Ignacio, Ubrig, Nicolas, Morpurgo, Alberto F.“…Here, we propose light-emitting field-effect transistors based on van der Waals interfaces of atomically thin semiconductors as a promising class of devices to achieve this goal. …”
Publicado 2022
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994por Baek, Sungpyo, Yoo, Hyun Ho, Ju, Jae Hyeok, Sriboriboon, Panithan, Singh, Prashant, Niu, Jingjie, Park, Jin‐Hong, Shin, Changhwan, Kim, Yunseok, Lee, Sungjoo“…Ferroelectric Field‐Effect‐Transistors In article number 2200566, Sungjoo Lee and co‐workers report on the fabrication and application of a ferroelectric transistor integrated with a van der Waals ferroelectrics heterostructure (CuInP(2)S(6)/α‐In(2)Se(3)). …”
Publicado 2022
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995“…In this study, we present a fully complementary metal–oxide–semiconductor-compatible ternary inverter with a memory function using silicon feedback field-effect transistors (FBFETs). FBFETs operate with a positive feedback loop by carrier accumulation in their channels, which allows to achieve excellent memory characteristics with extremely low subthreshold swings. …”
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996por Oh, Himchan, Oh, Ji-Young, Park, Chan Woo, Pi, Jae-Eun, Yang, Jong-Heon, Hwang, Chi-Sun“…Transistors with inorganic semiconductors have superior performance and reliability compared to organic transistors. …”
Publicado 2022
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997AC amplification gain in organic electrochemical transistors for impedance-based single cell sensorspor Bonafè, Filippo, Decataldo, Francesco, Zironi, Isabella, Remondini, Daniel, Cramer, Tobias, Fraboni, Beatrice“…Research on electrolyte-gated and organic electrochemical transistor (OECT) architectures is motivated by the prospect of a highly biocompatible interface capable of amplifying bioelectronic signals at the site of detection. …”
Publicado 2022
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998“…Here, t-SPL is used for the fabrication of MoS(2)-based field effect transistors (FETs). In particular, the use of t-SPL is demonstrated for the first time for the fabrication of edge-contact MoS(2) FETs, combining the hot-tip patterning and Ar(+) milling to etch the 2DM. …”
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999por Jiang, Shanshan, He, Gang, Wang, Wenhao, Zhu, Minmin, Chen, Zhengquan, Gao, Qian, Liu, Yanmei“…Exploiting multifunctional thin film transistors (TFTs) by low-temperature manufacturing strategy is a crucial step toward flexible electronics. …”
Publicado 2022
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1000“…This work proves that molecular weight is more important than molecular aggregation ability when designing organic field-effect transistors for polymer semiconductors.…”
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