Materias dentro de su búsqueda.
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1421“…Hyper-field effect transistors (hyper-FETs) are crucial in the development of low-power logic devices. …”
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1422“…Graphene field-effect transistor (Gr−FET) biosensors are a new type of material for preparing biosensors, with the advantages of a short detection time and ultra-low detection limit. …”
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1423por Mallem, Siva Pratap Reddy, Puneetha, Peddathimula, Lee, Dong-Yeon, Kim, Yoonkap, Kim, Han-Jung, Im, Ki-Sik, An, Sung-Jin“…We used capacitance–voltage (C–V), conductance–voltage (G–V), and noise measurements to examine the carrier trap mechanisms at the surface/core of an AlGaN/GaN nanowire wrap-gate transistor (WGT). When the frequency is increased, the predicted surface trap density promptly drops, with values ranging from 9.1 × 10(13) eV(−1)∙cm(−2) at 1 kHz to 1.2 × 10(11) eV(−1)∙cm(−2) at 1 MHz. …”
Publicado 2023
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1424“…In this work, we develop a semiconductor enriched (sc-) single-walled carbon nanotube (SWCNT)-based field-effect transistor (FET) biosensor functionalized with norfentanyl antibodies for the sensitive detection of norfentanyl, the primary inactive metabolite of fentanyl, in urine samples. …”
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1425por Safaruddin, Aimi Syairah, Bermundo, Juan Paolo S., Wu, Chuanjun, Uenuma, Mutsunori, Yamamoto, Atsuko, Kimura, Mutsumi, Uraoka, Yukiharu“…The present findings imply different hysteresis mechanisms for BTO nanoparticles with varying dimensions which is crucial in understanding the role of how the BTO size tunes the crystal structures for integration in thin-film transistor devices.…”
Publicado 2023
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1426por Ghosh, Sayantan, Khan, Muhammad Bilal, Chava, Phanish, Watanabe, Kenji, Taniguchi, Takashi, Prucnal, Slawomir, Hübner, René, Mikolajick, Thomas, Erbe, Artur, Georgiev, Yordan M.“…[Image: see text] This work demonstrates the novel concept of a mixed-dimensional reconfigurable field effect transistor (RFET) by combining a one-dimensional (1D) channel material such as a silicon (Si) nanowire with a two-dimensional (2D) material as a gate dielectric. …”
Publicado 2023
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1427por Alim, Anis Amirah, Roslan, Roharsyafinaz, Nadzirah, Sh., Saidi, Lina Khalida, Menon, P. Susthitha, Aziah, Ismail, Chang Fu, Dee, Sulaiman, Siti Aishah, Abdul Murad, Nor Azian, Hamzah, Azrul Azlan“…The performance of the graphene-based field-effect transistor (FET) as a biosensor is based on the output drain current (I(d)). …”
Publicado 2023
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1428por Pan, Zhecheng, Liu, Tao, Yang, Jingwen, Chen, Kun, Xu, Saisheng, Wu, Chunlei, Xu, Min, Zhang, David Wei“…The complementary field-effect transistor (CFET) with N-type FET (NFET) stacked on P-type FET (PFET) is a promising device structure based on gate-all-around FET (GAAFET). …”
Publicado 2023
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1429por Zhou, Zhiwen, Li, Qihua, Chen, Mojun, Zheng, Xuerong, Wu, Xiao, Lu, Xinhui, Tao, Shuxia, Zhao, Ni“…Here, we report an additive engineering strategy to realize high-performance and stable field-effect transistors (FETs) based on 3D formamidinium tin iodide (FASnI(3)) films. …”
Publicado 2023
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1430por Nakada, Mitsutaka, Inagaki, Tsubasa, Ariizumi, Reiichi, Maeta, Shogo, Ozaki, Hiroaki, Fujisawa, Akihiko, Tezen, Tomoya, Tsunashima, Takanori, Ito, Kaoru, Abe, Daichi, Yamaguchi, Kazunori, Nakajima, Masakazu, Taketani, Makoto“…Here, we developed and verified the performance of a new thin-film transistor (TFT) image sensor for estimating bacterial colony species on agar plates. …”
Publicado 2023
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1431
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1432por Schwabegger, G., Ullah, Mujeeb, Irimia-Vladu, M., Baumgartner, M., Kanbur, Y., Ahmed, R., Stadler, P., Bauer, S., Sariciftci, N.S., Sitter, H.“…We report on C(60) based organic field effect transistors (OFETs) that are well optimized for low voltage operation. …”
Publicado 2011
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1433
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1434“…Design rules used for carbon nanotube field-effect transistors (CNTFETs) are compatible with the 45-nm MOSFET technology. …”
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1435por Larki, Farhad, Dehzangi, Arash, Abedini, Alam, Abdullah, Ahmad Makarimi, Saion, Elias, Hutagalung, Sabar D, Hamidon, Mohd N, Hassan, Jumiah“…A double-lateral-gate p-type junctionless transistor is fabricated on a low-doped (10(15)) silicon-on-insulator wafer by a lithography technique based on scanning probe microscopy and two steps of wet chemical etching. …”
Publicado 2012
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1436por Fukuda, Kenjiro, Hikichi, Kenta, Sekine, Tomohito, Takeda, Yasunori, Minamiki, Tsukuru, Kumaki, Daisuke, Tokito, Shizuo“…Here we have investigated the mechanical durability of both p-type and n-type organic thin-film transistors (TFTs) with ink-jet printed silver electrodes from silver nanoparticle inks. …”
Publicado 2013
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1437por Petritz, Andreas, Wolfberger, Archim, Fian, Alexander, Krenn, Joachim R., Griesser, Thomas, Stadlober, Barbara“…The ultra-low subthreshold swing in the order of 0.1 V dec(−1) as well as the completely hysteresis-free transistor characteristics are indicating a very low interface trap density. …”
Publicado 2013
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1438por Lee, Yi-Ying, Hsu, Chih-Yuan, Lin, Ling-Jiun, Chang, Chih-Chun, Cheng, Hsiao-Chun, Yeh, Tsung-Hsien, Hu, Rei-Hsing, Lin, Che, Xie, Zhen, Chen, Bor-Sen“…BACKGROUND: Synthetic genetic transistors are vital for signal amplification and switching in genetic circuits. …”
Publicado 2013
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1439“…Recently, thin-film transistor based-ISFETs with the dual-gate (DG) structures have been proposed, in order to beat the Nernst response of the standard ISFET, utilizing diverse organic or inorganic materials. …”
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1440por Vaklev, Nikolay L, Müller, Robert, Muir, Beinn V O, James, David T, Pretot, Roger, van der Schaaf, Paul, Genoe, Jan, Kim, Ji-Seon, Steinke, Joachim H G, Campbell, Alasdair JEnlace del recurso
Publicado 2014
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