Materias dentro de su búsqueda.
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153por Fu, Jingwei, Wang, Jie, He, Xiang, Ming, Jianyu, Wang, Le, Wang, Yiru, Shao, He, Zheng, Chaoyue, Xie, Linghai, Ling, Haifeng“…Combining the configuration advantages of memristors and transistors, a novel pseudo-transistor is proposed. …”
Publicado 2023
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154“…Transistor-based biochemical sensors feature easy integration with electronic circuits and non-invasive real-time detection. …”
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155“…Recently, we have suggested a scale-invariant model for a nano-transistor. In agreement with experiments a close-to-linear thresh-old trace was found in the calculated I(D )- V(D)-traces separating the regimes of classically allowed transport and tunneling transport. …”
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156por Khodagholy, Dion, Rivnay, Jonathan, Sessolo, Michele, Gurfinkel, Moshe, Leleux, Pierre, Jimison, Leslie H., Stavrinidou, Eleni, Herve, Thierry, Sanaur, Sébastien, Owens, Róisín M., Malliaras, George G.“…The development of transistors with high gain is essential for applications ranging from switching elements and drivers to transducers for chemical and biological sensing. …”
Publicado 2013
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157“…Transistors constitute the backbone of modern day electronics. …”
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158por Okamoto, Hideki, Hamao, Shino, Goto, Hidenori, Sakai, Yusuke, Izumi, Masanari, Gohda, Shin, Kubozono, Yoshihiro, Eguchi, Ritsuko“…Field-effect transistors (FETs) were fabricated with a thin film of 3,10-ditetradecylpicene, picene-(C(14)H(29))(2), formed using either a thermal deposition or a deposition from solution (solution process). …”
Publicado 2014
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159por Kanazawa, Toru, Amemiya, Tomohiro, Ishikawa, Atsushi, Upadhyaya, Vikrant, Tsuruta, Kenji, Tanaka, Takuo, Miyamoto, Yasuyuki“…We demonstrated the I-V characteristics of the back-gated few-layer (3.8 nm) HfS(2) transistor with the robust current saturation. The on/off ratio was more than 10(4) and the maximum drain current of 0.2 μA/μm was observed. …”
Publicado 2016
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160“…A transistor laser (TL), having the structure of a transistor with multi-quantum wells near its base region, bridges the functionality gap between lasers and transistors. …”
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