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  1. 1421
  2. 1422
    “…Graphene field-effect transistor (Gr−FET) biosensors are a new type of material for preparing biosensors, with the advantages of a short detection time and ultra-low detection limit. …”
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  3. 1423
    “…We used capacitance–voltage (C–V), conductance–voltage (G–V), and noise measurements to examine the carrier trap mechanisms at the surface/core of an AlGaN/GaN nanowire wrap-gate transistor (WGT). When the frequency is increased, the predicted surface trap density promptly drops, with values ranging from 9.1 × 10(13) eV(−1)∙cm(−2) at 1 kHz to 1.2 × 10(11) eV(−1)∙cm(−2) at 1 MHz. …”
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  4. 1424
    “…In this work, we develop a semiconductor enriched (sc-) single-walled carbon nanotube (SWCNT)-based field-effect transistor (FET) biosensor functionalized with norfentanyl antibodies for the sensitive detection of norfentanyl, the primary inactive metabolite of fentanyl, in urine samples. …”
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  5. 1425
    “…The present findings imply different hysteresis mechanisms for BTO nanoparticles with varying dimensions which is crucial in understanding the role of how the BTO size tunes the crystal structures for integration in thin-film transistor devices.…”
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  6. 1426
    “…[Image: see text] This work demonstrates the novel concept of a mixed-dimensional reconfigurable field effect transistor (RFET) by combining a one-dimensional (1D) channel material such as a silicon (Si) nanowire with a two-dimensional (2D) material as a gate dielectric. …”
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  7. 1427
  8. 1428
    “…The complementary field-effect transistor (CFET) with N-type FET (NFET) stacked on P-type FET (PFET) is a promising device structure based on gate-all-around FET (GAAFET). …”
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  9. 1429
    “…Here, we report an additive engineering strategy to realize high-performance and stable field-effect transistors (FETs) based on 3D formamidinium tin iodide (FASnI(3)) films. …”
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  10. 1430
  11. 1431
  12. 1432
  13. 1433
  14. 1434
    “…Design rules used for carbon nanotube field-effect transistors (CNTFETs) are compatible with the 45-nm MOSFET technology. …”
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  15. 1435
    “…A double-lateral-gate p-type junctionless transistor is fabricated on a low-doped (10(15)) silicon-on-insulator wafer by a lithography technique based on scanning probe microscopy and two steps of wet chemical etching. …”
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  16. 1436
    “…Here we have investigated the mechanical durability of both p-type and n-type organic thin-film transistors (TFTs) with ink-jet printed silver electrodes from silver nanoparticle inks. …”
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  17. 1437
    “…The ultra-low subthreshold swing in the order of 0.1 V dec(−1) as well as the completely hysteresis-free transistor characteristics are indicating a very low interface trap density. …”
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  18. 1438
  19. 1439
    por Jang, Hyun-June, Cho, Won-Ju
    Publicado 2014
    “…Recently, thin-film transistor based-ISFETs with the dual-gate (DG) structures have been proposed, in order to beat the Nernst response of the standard ISFET, utilizing diverse organic or inorganic materials. …”
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  20. 1440
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