Quantum mechanical effects on MOSFET scaling limit : challenges and oportunies for nanoscale CMOS/

Detalles Bibliográficos
Autor principal: Wang, Lihui
Formato: Libro
Lenguaje:English
Publicado: Atlanta, Georgia : VDM Verlag Dr. Müller, c2009.
Materias:
Teoría cuántica.

Ingeniería Veracruz -

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Número de Clasificación: QC174.12 W36 Q3
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