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Quantum mechanical effects on MOSFET scaling limit : challenges and oportunies for nanoscale CMOS/

Detalles Bibliográficos
Autor principal: Wang, Lihui
Formato: Libro
Lenguaje:English
Publicado: Atlanta, Georgia : VDM Verlag Dr. Müller, c2009.
Materias:

MARC

LEADER 00000cam a22000002a 4500
003 UV#
005 20210827160555.0
008 100602n2009 gaua 000 0 eng d
999 |c 233849  |d 233849 
020 |a 9783836461832 
040 |a UV#  |b spa  |c UV# 
041 0 |a eng 
050 4 |a QC174.12  |b W36 Q3 
100 1 |a Wang, Lihui. 
245 1 0 |a Quantum mechanical effects on MOSFET scaling limit  |b : challenges and oportunies for nanoscale CMOS/  |c  Lihui Wang. 
260 |a Atlanta, Georgia :  |b VDM Verlag Dr. Müller,  |c c2009. 
300 |a xii, 175 p.  |b il. ;  |c 22 cm. 
336 |2 rdacontent 
337 |2 rdamedia 
338 |2 rdacarrier 
504 |a Bibliografía: p. 165-175. 
650 4 |a Teoría cuántica. 
942 |c LIBRO