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Transient conductance spectroscopy measurements of defect states in gamma-irradiated n-channel silicon field effect transistors with possible gamma-dosemeter applications

Detalles Bibliográficos
Autores principales: Pearton, S J, Tavendale, A J, Williams, A A
Lenguaje:eng
Publicado: 1980
Materias:
Acceso en línea:http://cds.cern.ch/record/132302

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