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The effect of radiation of the energy resolution of ion implanted silicon detectors

Detalles Bibliográficos
Autores principales: Borgeaud, P, McEwen, J G, Rancoita, P G, Seidman, A
Lenguaje:eng
Publicado: 1983
Materias:
Acceso en línea:https://dx.doi.org/10.1016/0167-5087(83)90260-0
http://cds.cern.ch/record/138524