SiGe, GaAs, and InP heterojunction bipolar transistors

Detalles Bibliográficos
Autor principal: Yuan, J S
Lenguaje:eng
Publicado: J. Wiley & Sons 1999
Materias:
Engineering
Acceso en línea:http://cds.cern.ch/record/1692083

Internet

http://cds.cern.ch/record/1692083

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